IRLML2803TRPBF

类别

分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

包装

卷带（TR）

剪切带（CT）

Digi-Reel® 得捷定制卷带

零件状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

1.2A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

250 毫欧 @ 910mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

5 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

85 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

540mW（Ta）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

Micro3™/SOT-23

封装/外壳

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

基本产品编号

IRLML2803