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台积电预计5nm将占2020年16nm以下晶圆产能的11%

行业资讯发布时间:2020-09-03浏览数:10

经历风险试产之后,芯片代工厂商通常会迅速提升基于新一代制程的晶圆产能。而通过当前公布和预期生产的产品范围,我们还可以知晓厂商对新工艺的信心有多高。作为 2020 年度技术研讨会的一部分,台积电就发表了其对于 5nm 先进制程(简称 N5)的一点展望。预计 2020 年底的时候,我们可见到首批基于 N5 工艺的消费级产品,尤其是智能手机。


资料图(来自:TSMC)


通常情况下,初始生产的转进会相对较慢。因为产品研发和验证将耗费大量的时间,一不小心就会落后于市场上的其它竞争对手(比如 TSMC 运气不佳的 20nm 工艺)。


不过目前,台积电已经开始了 N5 的大规模生产。这意味着相关客户已经拿到了用于验证的预生产芯片,甚至已经在交付第一批新硬件。


图表 Y 轴标明为“12 英寸晶圆占比”


从台积电在技术研讨会上分享的 PPT 来看,该公司 2020 年度生产的 16nm 以下晶圆中,将有 11% 基于 5nm 工艺。遗憾的是,台积电并未公布确切的数据。


但在另一张 PPT 中,该公司还是披露在 2019 年生产了超过 1200 万片 12 英寸晶圆(涵盖了所有工艺与设施)。财务方面,TSMC 仅对每个节点进行了细分(仅按收入分类)。


若将 5nm 与 7nm 产能进行比较,可知后者在过去一年时间里迎来了 22.7% 的增长,而 2020 年度的 5nm 产能将相当于 7nm 的 24% 左右。基于此,台积电预计 2021 和 2022 年的 5nm 产能将为 2020 年的 2~3 倍。



据悉,目前该公司的所有 5nm 芯片都在最新建造的 Fab 18 晶圆厂制造,这里的六幢建筑被 TSMC 诩为“第四代超级工厂”(4th GigaFab)。


自 2018 年 1 月 26 日破土动工以来,Fab 18 在一年后便开始安装 1300 多种制造工具,包括 EUV 光刻机,且整个过程仅耗费了 8 个月的时间。


之后台积电开始了 5nm 的风险试产,并于 2 季度开启了大批量生产,预计年产能可超过 100 万片 12 英寸晶圆(全部为 5nm 工艺)。与同等规模的竞争对手相比,其在能效等方面均处于业内领先地位。

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时钟发生器及合成器:PI6C20400BLEX ,PI6C20800SAEX,PI6C557-03ALEX

编码器、解码器、复用器和解复用器:PI5C3253QEX,  PI5C3251QEX, PI5C3257QEX, PI3USB302-AZBEX

SASSATADDR 切换器:PI2DBS6212ZHEX

视频开关IC:PI3HDX412BDZBEX, PI3HDMI412ADZBEX

视频IC: PI3HDX414FCEEX,  PI3HDMI511ZLEX,  PI3HDX1204-BZHEX, PI3HDMI2410FFEX

电影管理、监控电路: PT7M7809STEX,   PT7M7811STBEX,

接口IC:PI3HDMI336FBEX, PI3HDMI1310-AZLEX

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PI6C20400B高速、低噪声差动时钟缓冲器

型号:PI6C20400B
品牌:DIODES
封装:TSSOP28
说明:
       PI6C20400B是一个兼容PCIe 3.0的高速、低噪声差动时钟缓冲器,可与PCIe 3.0时钟发生器配套使用。它向后兼容PCIe1.0和2.0规范。
该装置将PCIe 3.0时钟发生器的差动SRC时钟分配给具有或不带PLL的四对差动时钟输出。时钟输出由SRC_STOP#、PWRDWN#和SMBus、SCLK和SDA的输入选择控制。当SRC_STOP#或PWRDWN#的输入较低时,输出时钟是三重的。当PWRDWN#较低时,SDA和SCLK输入必须是三次声明的

特征

  • 用于PCIe 3.0的相位抖动滤波器

  • 四对差动时钟

  • 低偏斜<50 ps

  • 低抖动<50 ps

  • < 1 ps additive RMS phase jitter

  • 对所有输出启用输出

  • 通过SMBus输出三态控制

  • 可编程锁相环带宽

  • 100 MHz锁相环模式操作

  • 100-400 MHz旁路模式操作

  • 3.3V行动

  • 包装(无铅和绿色):
    -28-Pin SSOP(H28)
    -28-Pin TSSOP(L28)


PI6C20400BLEX.png



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